Samsung запустила производство чипов LPDDR4 с 8 Гбит плотностью

Samsung объявила о запуске производства чипов LPDDR4 с 8 Гбит плотностью, соответствующих 20-нм технологическому процессу.

Новые кристаллы смогут обеспечить 2-х кратное увеличение плотности и производительности, если сравнивать с модулями памяти LPDDR3, которые имеют плотность 4 Гбит. Кристаллы LPDDR4 с 8 Гбит плотностью позволят выпускать 4 Гб модули памяти.

Уникальные чипы обеспечат скорость передачи данных до 3200 Мбит/сек, что в 2 раза превышает скорость памяти DDR3, работающей в серверах или обычных ПК, позволяя использовать такую память для задач, требующих быстродействия, например, серийную фотосъемку с высоким разрешением (выше 20 Мп), а также для воспроизведения или записи видеороликов с 4К разрешением.

Благодаря пониженному напряжению (до 1,1 В), чипы LPDDR4 имеют наименьшее энергопотребление, и будут использоваться в планшетах, смартфонах и сетевом оборудовании.

Новые двух и трехгигабайтные модули памяти LPDDR4 будут представлены на январской выставке CES 2015. Поставки 4 Гб модулей памяти ожидаются в 1-м квартале 2015 года.